HVM14TR 时间：2025/6/29 13:04:42 阅读：4

HVM14TR是一款高压MOSFET晶体管，通常用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用中。该器件采用TO-252封装形式，能够承受较高的电压，并具备较低的导通电阻，从而提升效率并减少发热。其设计旨在支持高频率操作，同时保持稳定的性能表现。
　　该器件属于N沟道增强型场效应晶体管，适用于各种需要高效能开关的应用场景。

参数

最大漏源电压：650V
　　连续漏极电流：3.8A
　　栅极阈值电压：3V~6V
　　导通电阻（典型值）：0.7Ω
　　工作结温范围：-55℃~175℃

特性

HVM14TR具有以下主要特性：
　　1. 高电压耐受能力，最高可承受650V的漏源电压。
　　2. 低导通电阻设计，有助于降低功耗和提高效率。
　　3. 较小的封装尺寸（TO-252），便于在紧凑型设计中使用。
　　4. 宽泛的工作温度范围，能够在极端环境下可靠运行。
　　5. 快速开关速度，适合高频应用环境。
　　6. 内置保护机制，包括过热关断功能，确保长期稳定性。

应用

HVM14TR广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
　　2. DC-DC转换器的同步整流和主开关。
　　3. 各类电机驱动电路，如步进电机或无刷直流电机控制。
　　4. LED驱动器中的负载开关。
　　5. 电池管理系统中的保护和切换元件。
　　6. 工业自动化设备中的负载控制模块。