型号：SD575
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大连续漏极电流（ID）：3.5A（TO-220）/ 4.0A（TO-252）
　　栅源电压范围（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值2.2Ω（@ VGS=10V）
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0~4.0V
　　最大功耗（PD）：50W（TO-220）
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220 / TO-252

SD575采用高性能平面工艺制造，具备优异的电气性能和热稳定性，能够在高电压和大电流环境下稳定运行。其最大漏源电压可达500V，能够满足大多数AC-DC和DC-DC转换器的需求，尤其适用于离线式反激变换器设计。器件的低导通电阻特性有效降低了在导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的整体效率。例如，在典型的100kHz开关频率下，配合适当的驱动电路，可显著减少传导损耗与温升，延长系统寿命。
　　该MOSFET具有较快的开关速度，得益于优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数，使其在高频应用中表现良好。较低的总栅极电荷意味着驱动电路所需提供的能量更少，有利于简化驱动设计并降低驱动芯片的成本。同时，SD575具备良好的抗雪崩能力与二次击穿防护特性，增强了在异常工况如负载突变或短路情况下的可靠性。
　　器件的封装形式支持高效的热量传导，TO-220封装可通过加装散热片进一步提升散热能力，适用于持续高负载运行环境。此外，SD575通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅偏（HTGB）和温度循环等项目，确保在恶劣工作条件下的长期稳定性。其引脚配置符合行业通用标准，兼容性强，便于在已有设计中进行替换或升级。总体而言，SD575是一款兼顾性能、可靠性和成本效益的中高压功率MOSFET，适合广泛应用在中小功率电源系统中。

SD575主要应用于各类开关电源（SMPS），包括手机充电器、笔记本电脑适配器、LED驱动电源、电视机电源模块等消费类电子产品；同时也广泛用于工业控制设备中的DC-DC转换器、小型逆变电源、UPS不间断电源以及电机控制电路中。由于其具备较高的耐压等级和良好的开关特性，特别适合用于反激式（Flyback）拓扑结构的电源设计中作为主开关管使用。在节能灯、电磁炉、小功率变频器等家电产品中也有广泛应用。此外，该器件还可用于太阳能微型逆变器、电池管理系统（BMS）中的充放电控制回路等新兴领域，展现出较强的适应性与扩展潜力。凭借其稳定的性能和较高的性价比，SD575已成为国产MOSFET在中高压应用中的代表性产品之一。

KIA575, UTC575, FQP575, STP575