型号：2SK3521-01S-TE24R
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20 V
　　栅源电压（VGS）：±8 V
　　连续漏极电流（ID）：9.6 A（TA=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：38 A
　　导通电阻（RDS(ON)）：7.0 mΩ（max）@ VGS = 4.5 V
　　导通电阻（RDS(ON)）：9.0 mΩ（max）@ VGS = 2.5 V
　　阈值电压（Vth）：0.4 V 至 1.0 V
　　输入电容（Ciss）：840 pF（typ）@ VDS = 10 V
　　输出电容（Coss）：260 pF（typ）@ VDS = 10 V
　　反向传输电容（Crss）：60 pF（typ）@ VDS = 10 V
　　开启延迟时间（td(on)）：7 ns（typ）
　　关断延迟时间（td(off)）：18 ns（typ）
　　上升时间（tr）：19 ns（typ）
　　下降时间（tf）：11 ns（typ）
　　最大功耗（PD）：2.8 W（TA=25°C）
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOP Advance (SOPA)

2SK3521-01S-TE24R具备出色的导通性能和开关速度，其核心优势之一是极低的导通电阻（RDS(ON)），在VGS = 4.5V时最大仅为7.0mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了电源系统的整体效率。这一特性对于电池供电设备尤为重要，能够延长续航时间并减少发热。同时，在较低的栅极驱动电压（如2.5V）下仍能保持较低的RDS(ON)，使其兼容现代低电压逻辑控制信号，适用于由微控制器或专用电源管理IC直接驱动的应用场景。
　　该器件采用东芝专有的先进沟槽结构技术，优化了载流子迁移路径，提升了电流密度和热稳定性。其输入、输出及反向传输电容均经过优化设计，有助于降低开关过程中的能量损耗，提高高频工作的效率。此外，较小的寄生电容也有助于减少噪声干扰和振铃现象，从而提升系统EMI性能。
　　SOP Advance封装不仅体积小巧，还具有良好的散热性能，通过底部导热焊盘可有效将热量传导至PCB，增强热管理能力。这种封装方式非常适合高密度组装的便携式设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。
　　2SK3521-01S-TE24R的阈值电压较低（0.4V~1.0V），保证了器件能够在低电压条件下快速开启，响应灵敏，适合用于负载开关或热插拔控制电路中，防止浪涌电流对系统造成冲击。同时，其快速的开关时间（开启延迟7ns，关断延迟18ns）使得它在高频PWM调制应用中表现出色，例如同步整流、多相VRM等拓扑结构。
　　该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力和稳健的栅氧化层设计，增强了在异常工况下的耐受性。结合其高可靠性与长寿命特点，适用于工业级和汽车级电子系统中的关键电源节点。

2SK3521-01S-TE24R广泛应用于需要高效、小型化电源解决方案的各类电子设备中。典型应用场景包括便携式消费电子产品中的DC-DC降压变换器，尤其是同步整流型Buck转换器的下管（Low-side MOSFET），利用其低RDS(ON)和快速开关特性来提升转换效率并减少发热。此外，它也常用于电池管理系统中的充放电通路控制，作为理想二极管或背靠背配置中的开关元件，实现高效的能量管理和反向保护。
　　在服务器、笔记本电脑、路由器等设备的电压调节模块（VRM）或多相电源中，该器件可用于多相交错并联结构，分担电流负载，提高动态响应能力。由于其封装尺寸小且热性能良好，适合在空间受限的主板布局中使用。
　　另一个重要应用是负载开关（Load Switch）电路，用于控制不同功能模块的供电通断，例如显示屏、摄像头模组或无线通信模块的电源使能控制。在此类应用中，2SK3521-01S-TE24R的低导通电阻可减少压降，而快速开启/关断能力有助于精确控制上电时序，避免系统复位异常。
　　此外，该器件还可用于电机驱动、LED驱动电源、USB电源开关以及热插拔控制器中。其宽泛的工作温度范围和高可靠性也使其适用于部分工业控制和车载信息娱乐系统的电源管理单元。

TPSMB20H-Q1,TSM20N03CX