HVM11TR 时间：2025/9/7 7:01:27 阅读：13

HVM11TR是一款由Diodes公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于各种电源管理和开关电路中。该器件采用先进的沟槽技术，能够提供低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，适用于高效能、紧凑型电源系统设计。

参数

类型：N沟道
　　最大漏极电流：11A
　　最大漏源电压：30V
　　最大栅源电压：20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.023Ω @ VGS=10V
　　栅极电荷：18nC
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-252

特性

HVM11TR具备一系列高性能特性，使其成为电源转换和负载开关应用的理想选择。
　　首先，该MOSFET采用先进的沟槽技术，使导通电阻（RDS(on)）极低，从而减少导通损耗并提高效率。在VGS=10V时，RDS(on)仅为0.023Ω，支持更高的电流承载能力并降低发热。
　　其次，HVM11TR的最大漏极电流可达11A，适用于中高功率的开关应用。同时，其最大漏源电压为30V，适合用于多种低压直流电源系统，如DC-DC转换器、电机驱动器和电池管理系统。
　　此外，该器件的栅极电荷为18nC，相对较低的Qg值有助于减少开关损耗，提高整体系统的效率。这对于高频开关应用尤为重要。
　　最后，HVM11TR采用TO-252封装，具有良好的热性能和紧凑的外形，便于在高密度PCB布局中使用。其工作温度范围为-55°C至150°C，确保在各种环境条件下稳定运行。