类型：N沟道MOSFET模块
　　漏极电流（Id）：180A
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：≤2.4mΩ
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装形式：双DIP（SiC）
　　安装方式：螺钉安装
　　功率耗散（Ptot）：300W

Q5181C-1S1 MOSFET 模块具有多项优异特性，确保其在高性能功率系统中稳定运行。首先，该模块采用了先进的硅技术，具备极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，其高耐压能力（Vds 为 100V）使其适用于多种中高功率应用，包括 DC-DC 转换器、电机驱动和不间断电源（UPS）系统。
　　该模块具备出色的热管理能力，能够在高温环境下稳定工作。其封装设计支持良好的散热性能，同时采用双DIP（SiC）封装形式，增强了机械强度和长期可靠性。Q5181C-1S1 还具备快速开关能力，减少开关损耗，适用于高频开关应用，如功率因数校正（PFC）电路和同步整流器。

Q5181C-1S1 MOSFET 模块广泛应用于多个高功率电子系统，包括但不限于工业电源、电动汽车充电系统、太阳能逆变器、储能系统和高频开关电源（SMPS）。其低导通电阻和高效率特性使其成为高功率密度电源设计的理想选择，同时适用于需要快速切换和高效能量转换的电机控制和工业自动化设备。

IXFN180N10T, IXYS TMOS模块系列中的替代型号包括 Q5181C-1S1 可选的工业标准模块，例如 IXYS 的 IXFN 系列和 IXYS 的其他双DIP封装模块。