HVL375C 是一款高压大功率MOSFET晶体管,通常用于需要高耐压和高电流处理能力的电源管理和功率转换应用。这款器件采用了先进的功率MOSFET技术,能够在高温和高电压环境下保持稳定工作,同时具备较低的导通电阻(RDS(on))以减少功率损耗。HVL375C的封装形式一般为TO-247或类似的高功率散热型封装,使其能够适用于多种工业级应用。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):最大900V
栅源电压(VGS):±30V
漏极电流(ID):连续15A(Tc=25℃)
脉冲漏极电流(IDM):60A
导通电阻(RDS(on)):典型值0.35Ω
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装形式:TO-247
最大功耗(PD):150W
HVL375C具有多项优异的电气和热性能特性,适用于高要求的功率应用环境。其高达900V的漏源电压能力使其非常适合用于高压电源、开关电源(SMPS)以及DC-DC转换器等场合。器件的低导通电阻不仅减少了导通状态下的功率损耗,还提升了整体系统的效率。此外,HVL375C具备良好的热稳定性,其TO-247封装设计能够有效散热,确保在高功率负载下仍能保持良好的工作温度。
该MOSFET还具有较强的抗雪崩能力,能够在瞬态过压条件下提供额外的可靠性保障。这使得HVL375C在电机驱动、逆变器电路和高能脉冲应用中表现优异。同时,其±30V的栅源电压耐受能力允许更宽的驱动电压范围,提高电路设计的灵活性。
器件的制造工艺采用了先进的沟槽栅极技术,增强了开关性能,减少了开关损耗,使得HVL375C在高频开关应用中也具备良好的表现。
HVL375C广泛应用于多种高功率和高压电子系统中,例如:
1. 开关电源(SMPS):由于其高耐压和低导通电阻特性,适用于AC-DC和DC-DC转换器中的主开关元件。
2. 电机驱动和变频器:在工业自动化和电机控制领域,用于高电压和高电流的功率开关。
3. 逆变器系统:包括太阳能逆变器和不间断电源(UPS),作为关键的功率切换元件。
4. 高压LED驱动:适用于需要高压恒流输出的LED照明系统。
5. 电源管理模块:用于电信设备、服务器电源和工业控制设备中的高效能功率开关。
STP9NK90Z, IRF840, FQA16N90C