时间：2025/9/7 14:06:01
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HVE306A8TRU是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换和管理应用。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力的特点，适用于诸如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理系统等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：60A
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大8mΩ @ VGS=10V
功率耗散（PD）：140W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-252（DPak）
HVE306A8TRU具有多项优异的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率，这对于高功率密度的设计尤为重要。
其次，该器件采用了ROHM专有的沟槽式结构技术，能够在较小的芯片尺寸下实现高性能，从而提升功率处理能力和热稳定性。
此外，HVE306A8TRU具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了器件在异常工作条件下的可靠性。
该MOSFET还具有良好的热阻特性，封装设计优化了散热性能，使其能够在较高的环境温度下稳定工作。
最后，其栅极驱动电压范围宽，支持常见的10V至12V驱动电路，便于与各种控制器和驱动IC配合使用。
HVE306A8TRU广泛应用于多个领域，包括但不限于：工业电源系统中的同步整流器和DC-DC转换器；电动汽车和储能系统的电池管理系统（BMS）；电机驱动和负载开关控制电路；通信设备的电源模块；以及各类高效率开关电源（SMPS）等。其优异的性能使其成为高功率、高效率设计中的理想选择。
SiR3460DP-T1-GE3, FDP6670, IRF6785, IPB013N06N3 G
