时间：2025/5/30 10:40:47
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HVC202BTRU是一款高性能的MOSFET功率晶体管，采用TO-263封装形式。该器件主要用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用中，能够提供高效率和低损耗性能。其设计特点包括低导通电阻、快速开关特性和高电流承载能力，适用于各种工业和消费类电子产品。
最大漏源电压：60V
最大漏极电流：85A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：97nC
开关时间：ton=80ns, toff=40ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
HVC202BTRU具有极低的导通电阻，这有助于减少导通时的能量损耗并提高整体效率。同时，它拥有较高的电流处理能力，在高负载条件下依然可以保持稳定运行。此外，该器件支持快速的开关速度，从而降低开关损耗，并且具备良好的热稳定性，确保在极端温度环境下可靠工作。
该器件还采用了优化的内部结构设计，以减少寄生电感和电容的影响，进一步提升动态性能。其高鲁棒性设计也使其能够在恶劣的工作条件下长期使用，例如高频开关或大电流脉冲环境。
HVC202BTRU广泛应用于各类功率转换电路中，如AC-DC适配器、LED驱动器、电动车控制器以及家用电器中的电源管理模块。此外，它也非常适合用于需要高效能量转换和低发热的设计场景，例如不间断电源(UPS)系统、太阳能逆变器和工业自动化设备中的功率级驱动部分。
HVC202BTRP, HVC202BTRE, IRF202N
