时间：2025/7/25 11:29:55
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HV9985K6-G 是由 Supertex（现为 Microchip Technology）生产的一款高压、高边 N 沟道 MOSFET 驱动器 IC。该器件专门设计用于驱动高电压 N 沟道 MOSFET，特别适用于需要高边开关应用的场合，例如 LED 照明、电源转换器、马达驱动器以及各种开关电源系统。HV9985K6-G 采用高压工艺制造，能够在高达 450V 的电压下工作，同时具备较强的抗噪能力和高可靠性。
供电电压范围：7V 至 450V
输出电流：±150mA（典型值）
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
封装形式：6 引脚 SOT-23
驱动能力：高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动
传播延迟：典型值 500ns
上升/下降时间：典型值 250ns
输入逻辑兼容：TTL 和 CMOS 兼容
高压击穿耐受：高达 450V
HV9985K6-G 的核心特性之一是其能够在极端电压条件下稳定驱动 N 沟道 MOSFET，这使其成为高边开关应用的理想选择。该器件采用自举技术，确保在高压环境下依然能够提供有效的栅极驱动电压，从而实现 MOSFET 的高效导通与关断。此外，HV9985K6-G 的封装形式为小型的 6 引脚 SOT-23，有助于节省 PCB 空间并简化电路布局。
该驱动器具备较宽的输入电压范围（7V 至 450V），适用于多种电源拓扑结构，包括升压、降压、半桥和全桥拓扑。其内置的欠压锁定（UVLO）功能可防止在低电压条件下运行，从而保护 MOSFET 不会因栅极电压不足而进入线性工作区，进而避免过热和损坏。
HV9985K6-G 还具备良好的抗干扰能力，能够适应电磁干扰（EMI）较强的工业环境。其传播延迟和上升/下降时间都经过优化，确保快速响应并减少开关损耗。此外，该 IC 与 TTL 和 CMOS 逻辑电平均兼容，便于与各种控制器或微处理器连接。
该器件的工作温度范围为 -40°C 至 +125°C，适合在恶劣的工业和汽车环境中使用。其封装材料符合 RoHS 标准，支持环保设计。
HV9985K6-G 主要应用于需要高压侧驱动 N 沟道 MOSFET 的场合。例如，在 LED 照明系统中，它可用于驱动升压拓扑结构中的 MOSFET，以提供恒定的 LED 电流；在开关电源中，HV9985K6-G 可用于半桥或全桥拓扑，以提高转换效率；在马达控制应用中，它可用于驱动 H 桥中的高压侧 MOSFET，实现对马达方向和速度的精确控制。
此外，HV9985K6-G 还适用于工业自动化设备、电源管理系统、直流-交流逆变器以及各种需要高压侧开关的电力电子系统。其高可靠性和抗干扰能力使其成为汽车电子、智能电网和可再生能源系统中的优选驱动 IC。
TC4427A-PA, IR2011S, NCP2075DR2G
