型号：DG221BDJE3
　　制造商：Vishay Siliconix
　　封装类型：SOIC-8
　　通道数：1（单刀单掷，SPST）
　　开关配置：常开（NO）
　　导通电阻（R_ON）：典型值 4 Ω，最大值 6 Ω（在 VDD = 10 V 条件下）
　　导通电阻平坦度：0.5 Ω（典型值）
　　电源电压范围：+4.5 V 至 +13.5 V
　　逻辑输入阈值：TTL/CMOS 兼容（约 1.4 V 阈值）
　　静态电源电流：小于 1 μA（典型值）
　　关断泄漏电流（IS(OFF)）：±1 nA（典型值）
　　导通状态泄漏电流（IS(ON)）：±1 nA（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　结温（TJ）：最高 150°C
　　ESD 耐受能力：HBM 模型 > 2000 V
　　最大开关电流：±25 mA
　　带宽（-3 dB）：大于 400 MHz（典型值）

DG221BDJE3 具备出色的电气性能和高度的可靠性，使其在多种模拟开关应用中表现出色。其低导通电阻（典型值仅为 4 Ω）确保了在信号传输过程中引入的压降和功率损耗最小化，从而提升了系统的整体精度和效率。该器件的导通电阻在整个输入电压范围内保持高度平坦，变化幅度小于 0.5 Ω，这使得它特别适用于需要高线性度和低失真的精密模拟信号处理场合，例如音频信号路由或多通道数据采集系统。此外，DG221BDJE3 的开关在关断状态下的泄漏电流极低，典型值为 ±1 nA，这意味着即使在高阻抗电路中也能有效防止信号串扰和直流偏移误差。
　　DG221BDJE3 支持宽范围的电源供电（+4.5 V 至 +13.5 V），可灵活应用于多种电压等级的系统设计中，包括 5 V、±5 V 或 +12 V 等常见供电配置。其控制端口对 TTL 和 CMOS 逻辑电平均兼容，简化了与微控制器、FPGA 或其他数字逻辑电路的接口设计。器件内部采用 CMOS 工艺制造，静态功耗极低，典型电源电流小于 1 μA，非常适合电池供电或低功耗便携式设备的应用场景。
　　该模拟开关具备出色的温度稳定性，在整个工业级工作温度范围（-40°C 至 +125°C）内，关键参数如导通电阻和泄漏电流的变化均保持在可接受范围内，确保系统在恶劣环境条件下仍能稳定运行。此外，DG221BDJE3 提供高达 400 MHz 的信号带宽，支持高速模拟信号的无损传输，可用于视频信号切换或高频数据通道选择。其 SOIC-8 封装形式不仅节省 PCB 空间，还便于自动化贴片生产，提高了制造效率和产品一致性。内置静电放电（ESD）保护结构使器件能承受超过 2000 V 的人体模型（HBM）放电，增强了现场使用的鲁棒性。

DG221BDJE3 广泛应用于需要高性能模拟信号切换的各种电子系统中。在音频设备中，它可用于选择不同的音源输入或输出通道，由于其低导通电阻和高线性度，能够保证音频信号的保真度不受影响。在数据采集系统或多路复用器设计中，DG221BDJE3 可作为前端开关用于轮流接入多个传感器信号，配合 ADC 实现多通道采样，其低泄漏电流特性有助于减少测量误差，尤其是在高阻抗传感器接口中表现优异。在通信系统中，该器件可用于射频或中频信号路径的选择与切换，支持宽带信号传输，适用于调制解调器、收发器模块等设备。
　　测试与测量仪器是 DG221BDJE3 的另一重要应用领域，例如自动测试设备（ATE）、示波器、万用表或多通道分析仪中，常使用此类模拟开关来构建可编程信号路由网络，实现不同测试点之间的快速切换。其高隔离度和低串扰特性确保了测量结果的准确性。在工业控制和自动化系统中，DG221BDJE3 可用于配置可编程输入/输出模块，根据控制逻辑动态连接不同的执行器或传感器。此外，该器件也适用于医疗电子设备中的信号选择电路，如病人监护仪或多参数检测设备，要求高可靠性和低噪声干扰。由于其宽电压工作范围和低功耗特性，DG221BDJE3 同样适合嵌入式系统和便携式仪器设计，能够在电池供电环境下长时间稳定运行。

DG221AKS-E3
　　TS5221BIDT
　　MAX4617EKA+T