PGSMAJ10A R3G 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的表面贴装型瞬态电压抑制二极管(TVS,Transient Voltage Suppressor),用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、浪涌电压和其他瞬态干扰的影响。该器件采用SMA(DO-214AC)封装,适用于需要高可靠性和稳定性的应用环境。PGSMAJ10A R3G 的额定工作电压为10V,能够在瞬态过压事件中快速响应,将电压钳制在安全范围内,从而保护后端电路不受损坏。该器件广泛应用于通信设备、工业控制系统、消费电子产品、汽车电子等领域。
类型:瞬态电压抑制二极管(TVS)
封装:SMA(DO-214AC)
工作电压:10V
最大反向工作电压(Vrwm):10V
击穿电压(Vbr):最小11.1V,典型12.3V,最大13.7V
钳位电压(Vc):17.8V(在Ipp = 1.7A时)
峰值脉冲电流(Ipp):1.7A
最大反向漏电流(Ir):10μA @ Vrwm
响应时间:1ps(典型)
功率耗散:400W(峰值脉冲功率)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
湿度等级:1(符合JEDEC J-STD-020)
RoHS合规:是
PGSMAJ10A R3G 是一款高性能的瞬态电压抑制二极管,具有快速响应时间和优异的瞬态抑制能力。其响应时间可低至1皮秒(ps),能够在静电放电(ESD)或雷击浪涌等瞬态事件发生时迅速将电压限制在安全范围内,从而保护后端敏感电子元件免受损坏。该器件具有高达400W的峰值脉冲功率处理能力,适用于多种高要求的电子系统。PGSMAJ10A R3G 采用SMA封装,便于表面贴装工艺(SMT),节省PCB空间,并提供良好的热管理和电气性能。此外,该器件的工作温度范围宽达-55°C至+150°C,适合在各种严苛环境条件下使用。该TVS二极管具有低漏电流(通常小于10μA),不会对正常电路工作造成影响。其符合RoHS标准,适用于绿色环保设计。
PGSMAJ10A R3G 广泛应用于需要高可靠性和抗干扰能力的电子设备中。典型应用包括通信设备中的信号线和电源线保护、工业控制系统中的传感器接口保护、消费类电子产品如智能手机和平板电脑的USB接口或HDMI接口的ESD防护、汽车电子系统中的控制模块和传感器线路保护。此外,它还可用于保护计算机外设、网络设备、安防监控系统等设备的输入输出端口免受静电放电和其他瞬态电压的影响。
PESD10S1BA, SMAJ10A, P6SMB10A