HV2225Y103JXHATHV 是一款高性能、高电压 MOSFET 功率晶体管,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路中。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够有效降低功耗并提升系统效率。
这款芯片特别适合需要高耐压和高电流能力的应用场景,例如工业设备、汽车电子以及消费类电子产品中的电源转换和负载驱动。
型号:HV2225Y103JXHATHV
类型:MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)
封装:TO-247
最大漏源电压(Vds):800V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大漏极电流(Id):25A
导通电阻(Rds(on)):0.15Ω
总功耗(Ptot):200W
工作温度范围(Ta):-55°C 至 +175°C
结温(Tj):-55°C 至 +175°C
1. 高击穿电压(800V),适用于高压应用环境。
2. 极低的导通电阻(0.15Ω),减少功率损耗。
3. 快速开关性能,有助于提高系统的动态响应能力。
4. 大电流处理能力(最大漏极电流可达25A),支持大功率负载。
5. 宽工作温度范围(-55°C 至 +175°C),适应极端环境条件。
6. 封装形式为 TO-247,具备良好的散热性能。
7. 内部保护机制完善,包括过热保护和过流限制等功能。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件。
2. DC-DC 转换器和逆变器的核心功率级组件。
3. 工业自动化设备中的电机驱动控制。
4. 汽车电子系统中的负载切换和保护。
5. LED 照明驱动电路中的高效功率调节。
6. 其他需要高电压、大电流处理能力的功率转换与控制场景。
HV2225Y103JXHATLV, IRF840, STP80NF75