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HV2225Y103JXHATHV 发布时间 时间:2025/7/1 4:02:50 查看 阅读:6

HV2225Y103JXHATHV 是一款高性能、高电压 MOSFET 功率晶体管,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路中。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够有效降低功耗并提升系统效率。
  这款芯片特别适合需要高耐压和高电流能力的应用场景,例如工业设备、汽车电子以及消费类电子产品中的电源转换和负载驱动。

参数

型号:HV2225Y103JXHATHV
  类型:MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)
  封装:TO-247
  最大漏源电压(Vds):800V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大漏极电流(Id):25A
  导通电阻(Rds(on)):0.15Ω
  总功耗(Ptot):200W
  工作温度范围(Ta):-55°C 至 +175°C
  结温(Tj):-55°C 至 +175°C

特性

1. 高击穿电压(800V),适用于高压应用环境。
  2. 极低的导通电阻(0.15Ω),减少功率损耗。
  3. 快速开关性能,有助于提高系统的动态响应能力。
  4. 大电流处理能力(最大漏极电流可达25A),支持大功率负载。
  5. 宽工作温度范围(-55°C 至 +175°C),适应极端环境条件。
  6. 封装形式为 TO-247,具备良好的散热性能。
  7. 内部保护机制完善,包括过热保护和过流限制等功能。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件。
  2. DC-DC 转换器和逆变器的核心功率级组件。
  3. 工业自动化设备中的电机驱动控制。
  4. 汽车电子系统中的负载切换和保护。
  5. LED 照明驱动电路中的高效功率调节。
  6. 其他需要高电压、大电流处理能力的功率转换与控制场景。

替代型号

HV2225Y103JXHATLV, IRF840, STP80NF75

HV2225Y103JXHATHV参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1,000 : ¥16.09585卷带(TR)
  • 系列HV
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容10000 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定3000V(3kV)
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高电压
  • 等级-
  • 应用通用
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳2225(5763 公制)
  • 大小 / 尺寸0.220" 长 x 0.250" 宽(5.59mm x 6.35mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.106"(2.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-