您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > CC1812GKNPOABN442

CC1812GKNPOABN442 发布时间 时间:2025/6/3 22:31:12 查看 阅读:3

CC1812GKNPOABN442 是一种基于氮化镓(GaN)技术的高频功率放大器芯片,主要用于射频和微波通信系统。该芯片采用先进的 GaN 工艺制造,具有高输出功率、高效率和宽带宽特性,适合于基站、雷达、卫星通信和其他高性能射频应用。
  这款芯片通过优化设计以支持高频段工作,同时保持较低的热阻,从而提高了整体性能和可靠性。

参数

型号:CC1812GKNPOABN442
  工作频率范围:1.8 GHz - 2.2 GHz
  输出功率:44 dBm
  增益:12 dB
  效率:65%
  电源电压:28 V
  静态电流:2 A
  封装形式:QFN-32
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

CC1812GKNPOAB采用了最新的氮化镓技术,具备卓越的高频性能。其主要特性包括:
  1. 高输出功率:能够在 1.8 GHz 到 2.2 GHz 的频率范围内提供高达 44 dBm 的输出功率。
  2. 高效率:在高功率输出时仍然能够保持约 65% 的效率,减少功耗和热量生成。
  3. 宽带操作:支持较宽的工作频率范围,适用于多种射频应用场景。
  4. 低热阻设计:通过优化散热结构,降低了芯片运行时的温度,提高了长期使用的稳定性。
  5. 小型化封装:采用 QFN-32 封装,便于集成到紧凑型设备中。

应用

CC1812GKNPOABN442 主要应用于以下领域:
  1. 无线通信基站:支持 LTE 和 5G 网络中的功率放大需求。
  2. 雷达系统:可用于气象雷达、空中交通管制雷达等高功率射频应用。
  3. 卫星通信:为卫星地面站和用户终端提供高效功率放大。
  4. 测试与测量设备:用于信号源和功率放大测试仪器。
  5. 其他工业和军事射频应用:如电子战系统和高能微波设备。

替代型号

CC1812GKNPAOABN442
  CC1812GKNPBAABN442

CC1812GKNPOABN442推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

CC1812GKNPOABN442参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格15,000 : ¥7.00776卷带(TR)
  • 系列CC
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容4400 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用通用
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)-
  • 引线间距-
  • 引线样式-