UF1602CTT/P 时间：2025/8/14 9:29:08 阅读：23

UF1602CTT/P 是一款由Microsemi（现为L3Harris Technologies的一部分）制造的双极型晶体管（BJT）阵列，采用双晶体管封装，设计用于高频和低噪声放大应用。这款器件采用共射-共射（Common Emitter-Common Emitter）配置的两个NPN晶体管，非常适合在射频（RF）和中频（IF）电路中使用，例如低噪声放大器（LNA）、混频器和振荡器等。其小型塑料封装（SOT-26）使其适用于高密度PCB布局。

参数

类型：双极型晶体管（NPN）阵列
　　封装：SOT-26
　　晶体管数量：2个NPN
　　最大集电极电流：100mA（每个晶体管）
　　最大集射电压：25V
　　最大基极电流：20mA
　　最大功耗：200mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　增益带宽积（fT）：1000MHz
　　电流增益（hFE）：100@10mA, VCE=5V
　　噪声系数：0.8dB@1GHz
　　最大频率：1.2GHz

特性

UF1602CTT/P具有优异的高频性能和低噪声特性，适用于要求严苛的射频和中频应用。其内部两个NPN晶体管可以独立使用，也可级联以实现更高的增益。每个晶体管都具有高达1.2GHz的工作频率，确保在高频电路中的稳定表现。该器件的噪声系数低至0.8dB，在1GHz频段下仍能保持良好的信噪比，非常适合用于无线通信系统的前端放大器。此外，其紧凑的SOT-26封装不仅节省空间，还具备良好的热管理和机械稳定性，适合在恶劣环境中使用。
　　该器件的增益带宽积（fT）为1000MHz，保证了在高频下仍具有较高的电流增益。在典型工作条件下（IC=10mA，VCE=5V），其电流增益（hFE）可达100，满足多种放大需求。UF1602CTT/P还具有良好的温度稳定性，可在-55°C至+150°C的宽温度范围内正常工作，适用于军事、航空航天及工业级应用。
　　由于其低功耗特性（最大200mW）和高可靠性，该器件广泛用于便携式通信设备、射频接收器、测试仪器和射频识别（RFID）系统中。

应用

UF1602CTT/P 主要用于需要低噪声、高频率响应的射频和中频电路中。典型应用包括无线通信系统的低噪声放大器（LNA）、混频器、振荡器、中频放大器、射频接收器前端、便携式无线电设备、测试与测量仪器以及射频识别（RFID）系统。该器件也常用于工业控制、航空航天和军事通信设备中，因其高稳定性和可靠性而受到青睐。