MBM400HS6G 时间：2025/9/7 18:08:08 阅读：17

MBM400HS6G是一款由ROHM（罗姆）半导体公司推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效能、高可靠性应用而设计。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器、负载开关等多种功率电子系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：400V
　　栅源电压(VGS)：±30V
　　连续漏极电流(ID)：1.2A
　　脉冲漏极电流(IDM)：4.8A
　　导通电阻(RDS(on))：最大值1.9Ω @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220FM
　　功率耗散(PD)：80W

特性

MBM400HS6G具有多项显著的性能优势。首先，其低导通电阻确保了在高电流工作条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高系统的整体能效。其次，该器件具备较高的雪崩耐量，能够在极端工作条件下（如电压尖峰或瞬态过载）保持稳定运行，提升系统的可靠性和耐用性。
　　此外，MBM400HS6G采用TO-220FM封装，具有良好的散热性能，适用于需要长时间高负载运行的应用场景。该封装形式也便于安装和散热片的配合使用，进一步优化热管理。ROHM在该器件中应用了其独有的沟槽栅极结构技术，使得导通电阻与栅极电荷（Qg）之间达到最佳平衡，有利于实现高频开关操作，减少开关损耗。
　　器件的栅极氧化层经过优化设计，可承受高达±30V的栅源电压，增强了抗过压能力和抗静电能力，适用于各种工业控制和电源转换系统。MBM400HS6G符合RoHS环保标准，适用于对环保要求较高的电子产品设计。

应用

MBM400HS6G广泛应用于多个领域，包括但不限于：电源管理系统中的开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器和负载开关控制；工业自动化设备中的电机驱动电路；照明控制系统中的LED驱动电源；以及消费类电子产品中的电源适配器和逆变器等。
　　由于其优异的耐压能力和热稳定性，该MOSFET也适用于高可靠性要求的家电控制电路，如空调、洗衣机和电磁炉等产品中的功率控制部分。此外，在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，MBM400HS6G也能发挥出色的性能表现。