65HVD3082EDR 是由德州仪器 (TI) 推出的一款高压侧 MOSFET 驱动器,专为需要高效率和快速开关的应用而设计。该驱动器能够提供高达 6A 的峰值输出电流,支持宽范围的输入电压(4.5V 至 18V),适用于多种工业和汽车应用环境。它具有低传播延迟和出色的抗噪能力,非常适合要求高速切换的场景。
其封装形式为 SOIC-8,能够满足紧凑型设计需求,并且具备过流保护、短路保护以及热关断功能以确保系统安全可靠运行。
输入电压范围:4.5V 至 18V
输出电流:±6A
传播延迟:8ns(典型值)
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
封装类型:SOIC-8
电源静态电流:75μA(典型值)
65HVD3082EDR 提供了卓越的性能表现,其主要特性包括:
1. 高峰值输出电流:可驱动大功率 MOSFET 和 IGBT,适应广泛的应用领域。
2. 超低传播延迟:8ns 的典型延迟时间使其适合高频开关应用。
3. 宽输入电压范围:4.5V 至 18V,兼容多种电源环境。
4. 强大的保护机制:内置过流保护、短路保护和热关断功能,提高了系统的可靠性。
5. 小尺寸封装:SOIC-8 封装节省空间,便于布局。
6. 工作温度范围广:支持 -40°C 至 +125°C 的温度区间,适应恶劣的工作条件。
7. 抗噪能力强:即使在嘈杂的电磁环境中也能保持稳定运行。
这款驱动器被广泛应用于以下领域:
1. 汽车电子:用于电动助力转向系统 (EPS)、刹车控制单元 (BCU) 和电机驱动等。
2. 工业自动化:伺服驱动器、逆变器、不间断电源 (UPS) 等设备中的功率级控制。
3. 通信基础设施:基站功放模块和直流-直流转换器中的开关控制。
4. 消费类电子产品:高性能音频放大器和投影仪中功率管理部分。
5. 其他高功率密度应用:如 LED 驱动和太阳能微逆变器。
65HVD3082EPR, 65HVD3082EPQ