RS-06K7870FT 是一款高性能的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,从而提高了效率并降低了功耗。
其封装形式为 TO-252,适合表面贴装技术(SMT),能够满足工业和消费电子领域对紧凑设计的需求。
型号:RS-06K7870FT
类型:N沟道 MOSFET
最大漏源电压 (Vds):60V
最大栅源电压 (Vgs):±20V
连续漏极电流 (Id):30A
导通电阻 (Rds(on)):1.9mΩ
总栅极电荷 (Qg):34nC
开关时间:开通延迟时间 12ns / 关断下降时间 25ns
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-252
RS-06K7870FT 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),使其在大电流应用中表现出色,同时减少了功率损耗。
2. 快速的开关速度,确保了高效的能量转换,适用于高频电路。
3. 高击穿电压 (60V),能够在较高的电压环境下稳定工作。
4. 小型化封装设计,支持表面贴装技术 (SMT),简化了 PCB 设计和生产流程。
5. 宽泛的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C),使其能够在极端条件下保持性能。
6. 内置静电保护功能,增强了器件的可靠性。
这些特点使 RS-06K7870FT 成为需要高效能和小体积解决方案的理想选择。
RS-06K7870FT 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器,用于提高转换效率。
2. 电机驱动控制,特别是在小型家电和工业设备中。
3. DC-DC 转换器,适用于汽车电子和通信设备。
4. 充电器和适配器设计,提供更高效的能量管理。
5. LED 照明系统中的驱动电路,实现精确的电流控制。
由于其高性能和可靠性的特点,该器件非常适合要求高效率和低功耗的应用场景。
RS-06K7870FTL, IRF7870, FDP067N06L