HV2220Y562JXHATHV 是一款高性能的高压 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和逆变器等应用领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有高耐压、低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高系统的效率和可靠性。
该器件适用于需要高电压处理能力的场景,例如工业设备、汽车电子和消费类电子产品中的功率转换电路。
类型:MOSFET
最大漏源电压(Vds):800V
最大栅源电压(Vgs):±20V
持续漏极电流(Id):12A
导通电阻(Rds(on)):0.3Ω
总功耗(Ptot):240W
结温范围(Tj):-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247
HV2220Y562JXHATHV 的主要特性包括:
1. 高耐压能力,支持高达 800V 的漏源电压,适合各种高压应用场景。
2. 极低的导通电阻(0.3Ω),减少功率损耗,提升系统效率。
3. 快速开关性能,降低开关损耗,适合高频开关应用。
4. 内置静电防护功能,增强器件的抗干扰能力。
5. 支持宽温度范围操作,适应恶劣的工作环境。
6. 可靠性高,经过严格的质量控制流程,确保长期稳定运行。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)设计,用于主功率开关管。
2. 工业电机驱动,实现高效功率转换。
3. 电动汽车和混合动力汽车中的逆变器模块。
4. 太阳能逆变器中作为关键功率器件。
5. 不间断电源(UPS)系统中的功率管理部分。
6. 其他需要高压大电流处理能力的电子设备。
IRFP460,
STW80NM80,
FDP18N80E,
IXTH12N80P