IS61NLP25618A-200B3LI是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高速、低功耗的CMOS静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片采用先进的CMOS技术制造,具备高性能和低功耗的特性,适用于对功耗和速度有较高要求的应用场景。IS61NLP25618A-200B3LI的存储容量为256K x 18位,属于异步SRAM类型,其访问时间为200MHz,适合用于高速缓存、网络设备、通信设备以及嵌入式系统等。
容量:256K x 18位
访问时间:200MHz
电源电压:2.3V - 3.6V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:165-TSOP
接口类型:并行
输入/输出数据宽度:18位
功耗:典型值为120mA(待机模式下为10mA)
IS61NLP25618A-200B3LI具有多个显著的技术特性,首先,该芯片采用了先进的CMOS工艺,能够在提供高速访问性能的同时保持较低的功耗,这对于电池供电或对能耗敏感的应用场景尤为重要。其次,该SRAM芯片的访问时间为200MHz,确保了其在高速系统中的稳定性和可靠性。此外,IS61NLP25618A-200B3LI的工作电压范围为2.3V至3.6V,这使得它能够兼容多种不同的电源系统,提高了其在各种电子设备中的适用性。芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,表明它能够在较宽的环境温度范围内正常工作,适用于工业级和商业级应用。封装形式为165-TSOP,这种封装方式不仅节省空间,而且便于自动化生产和焊接。此外,该芯片还支持多种操作模式,包括高速读写模式和低功耗待机模式,用户可以根据具体的应用需求灵活选择。IS61NLP25618A-200B3LI的并行接口设计使其能够与多种微处理器和控制器无缝连接,简化了系统设计并提高了整体性能。
IS61NLP25618A-200B3LI广泛应用于需要高速存储和低功耗的电子系统中。常见的应用场景包括嵌入式系统的高速缓存、网络设备的数据缓冲、工业控制设备的临时存储、通信设备的协议处理、消费类电子产品的数据存储等。此外,该芯片还可用于测试设备、医疗设备、汽车电子系统以及高性能计算模块中。由于其宽电压范围和工业级温度适应性,IS61NLP25618A-200B3LI也常被用于严苛环境下的关键系统中。
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