类型：低侧MOSFET驱动器
　　通道数：1
　　输入逻辑类型：施密特触发输入
　　供电电压范围：4.5V 至 18V
　　峰值输出电流：2A（源/灌）
　　传播延迟时间：典型值15ns
　　上升时间（10%至90%）：典型值8ns
　　下降时间（90%至10%）：典型值6ns
　　静态电流：典型值1.2mA
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：SOT-23-5

DSR110具备出色的动态响应性能，其极短的传播延迟和快速的边沿速率使其非常适合高频开关应用，如同步整流、半桥和全桥拓扑中的低端驱动。该器件的施密特触发输入设计显著提升了抗噪能力，能够有效滤除输入信号中的毛刺和振荡，避免因噪声引起的误触发，从而保障系统的稳定运行。在电源管理类应用中，这种特性尤为重要，尤其是在电磁干扰较强的环境中。此外，DSR110集成了欠压锁定（UVLO）保护机制，当VDD引脚电压低于启动阈值时，输出将被强制拉低，防止MOSFET工作在饱和区导致功耗过大或热失效；一旦电压恢复到正常水平，器件自动恢复正常操作，无需外部复位电路。
　　该驱动器的输出级采用图腾柱结构，具备强大的拉电流和灌电流能力，最高可达2A峰值电流，足以快速充放电MOSFET的栅极电容，实现快速开关，减少交叉导通时间，提升整体能效。同时，低输出阻抗有助于进一步降低驱动损耗。DSR110还具有较低的静态功耗，典型值仅为1.2mA，有利于提高轻载效率，特别适用于待机模式或节能型电源设计。其SOT-23-5小尺寸封装不仅节省PCB空间，而且具备良好的热性能和电气性能，便于自动化贴装与批量生产。由于其兼容性强，可以与多种控制器（如PWM控制器、MCU GPIO）直接接口，无需额外电平转换电路，简化了系统设计复杂度。综合来看，DSR110是一款高性能、高可靠性的单通道低侧驱动器，适用于对效率、响应速度和稳定性有较高要求的现代电源系统。

DSR110广泛应用于各类需要高效驱动N沟道MOSFET的电力电子系统中。在开关电源（SMPS）设计中，常用于驱动降压（Buck）、升压（Boost）或反激式（Flyback）拓扑中的低边开关管，配合PWM控制器实现精确的电压调节。在DC-DC转换器模块中，尤其适用于高频率工作的同步整流架构，通过快速开关降低传导损耗，提升转换效率。此外，在电机驱动电路中，DSR110可用于H桥或半桥配置中的低端MOSFET驱动，实现对直流电机或步进电机的有效控制，常见于电动工具、家用电器和工业自动化设备。
　　在LED照明驱动领域，特别是大功率LED恒流电源中，DSR110可用于驱动主开关管，确保稳定高效的能量传输。其快速响应特性有助于实现精确的调光控制。在电池管理系统（BMS）或逆变器中，该器件也可作为辅助驱动单元使用，用于控制保护电路中的开关元件。由于其宽工作电压范围和良好的温度适应性，DSR110同样适用于车载电子、通信电源和工业电源等严苛环境下的应用。其小型封装也使其成为便携式设备电源管理方案的理想选择，例如移动电源、USB PD适配器和无线充电发射端等。总之，凡是有高速、高效、小型化需求的低侧MOSFET驱动场景，DSR110均表现出优异的适用性和可靠性。

TC1411, MIC4420, FAN3224, IRS21844