时间：2025/7/4 19:59:34
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HV1V476M0605PZ是一款高性能的高压MOSFET功率器件，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等电力电子领域。该芯片采用先进的制造工艺，具备高耐压、低导通电阻和快速开关速度的特点，能够有效提高系统的效率和稳定性。
这款器件属于N沟道增强型MOSFET，设计用于高电压应用场景，具有较强的电流承载能力以及良好的热性能表现，适合工业级和商业级应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：600V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：4.8A
导通电阻(Rds(on))：3.2Ω（典型值，25℃）
功耗(Pd)：195W
结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-220FP
HV1V476M0605PZ的核心特性包括：
1. 高击穿电压（600V），确保在高压环境下的可靠运行。
2. 极低的导通电阻（3.2Ω），减少传导损耗，提升系统效率。
3. 快速开关速度，优化了动态性能并降低了开关损耗。
4. 强大的电流承载能力（Id=4.8A），适用于多种大功率场景。
5. 良好的热性能，能够在高温环境下长期稳定工作。
6. 封装采用标准TO-220FP，易于安装且散热性能优良。
7. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
HV1V476M0605PZ适用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)，包括适配器、充电器等。
2. 工业电机驱动控制电路。
3. 逆变器和不间断电源(UPS)。
4. 电动工具的电源管理。
5. 太阳能微逆变器和其他新能源相关设备。
6. 各类需要高压切换的应用场景。
由于其高耐压特性和低导通电阻，该器件非常适合需要高效能量转换和高可靠性要求的应用场合。
IRF840,
STP55NF06,
FDP5500,
BUK7Y1R8-60E
