2SK3680-01 是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道功率MOSFET,主要用于高频开关应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及各种便携式电子设备。
类型:N沟道MOSFET
漏极电流(ID):最大4.5A(连续)
漏极-源极电压(VDS):最大30V
栅极-源极电压(VGS):最大±20V
导通电阻(RDS(on)):典型值为38mΩ(在VGS=10V时)
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:SOP Advance(表面贴装)
2SK3680-01 具备多项优异的电气特性和设计优势,首先其采用先进的沟槽结构,有助于降低导通电阻(RDS(on)),从而减少导通损耗,提高系统效率。其次,该MOSFET具有快速开关能力,可有效减少开关损耗,适用于高频率工作的电源系统。
此外,该器件具备良好的热稳定性和耐久性,能够在较高温度环境下稳定运行,同时其SOP Advance封装设计有助于提高散热性能和空间利用率,适合在紧凑型电子设备中使用。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽,支持4.5V至10V之间的驱动电压,使其兼容多种驱动电路设计。同时,该器件具有较低的输入电容(Ciss)和反馈电容(Crss),有助于提升高频响应和开关速度。
从可靠性角度来看,2SK3680-01 符合RoHS环保标准,并具有较高的耐用性和稳定性,适用于工业级和消费类电子产品。
2SK3680-01 主要应用于需要高效能、高频开关特性的电子设备中。例如,在电源管理系统中,它可用作DC-DC转换器的主开关器件,提高能量转换效率并减小电源模块的体积;在电池管理系统中,该MOSFET可用于充放电控制和负载开关功能,实现对电池的高效管理。
此外,该器件也适用于便携式电子产品,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和无线充电设备等,用于电源路径管理或负载切换控制。
由于其优异的开关性能和较小的封装尺寸,2SK3680-01 也广泛应用于LED驱动电路、马达驱动电路以及各类小型化开关电源中。
Si2302DS, AO3400A, FDN340P, 2SK3896