时间：2025/7/22 20:34:26
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2SK3680-01 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，主要用于高频开关应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及各种便携式电子设备。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：最大4.5A（连续）
漏极-源极电压（VDS）：最大30V
栅极-源极电压（VGS）：最大±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为38mΩ（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：SOP Advance（表面贴装）
2SK3680-01 具备多项优异的电气特性和设计优势，首先其采用先进的沟槽结构，有助于降低导通电阻（RDS(on)），从而减少导通损耗，提高系统效率。其次，该MOSFET具有快速开关能力，可有效减少开关损耗，适用于高频率工作的电源系统。
此外，该器件具备良好的热稳定性和耐久性，能够在较高温度环境下稳定运行，同时其SOP Advance封装设计有助于提高散热性能和空间利用率，适合在紧凑型电子设备中使用。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至10V之间的驱动电压，使其兼容多种驱动电路设计。同时，该器件具有较低的输入电容（Ciss）和反馈电容（Crss），有助于提升高频响应和开关速度。
从可靠性角度来看，2SK3680-01 符合RoHS环保标准，并具有较高的耐用性和稳定性，适用于工业级和消费类电子产品。
2SK3680-01 主要应用于需要高效能、高频开关特性的电子设备中。例如，在电源管理系统中，它可用作DC-DC转换器的主开关器件，提高能量转换效率并减小电源模块的体积；在电池管理系统中，该MOSFET可用于充放电控制和负载开关功能，实现对电池的高效管理。
此外，该器件也适用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和无线充电设备等，用于电源路径管理或负载切换控制。
由于其优异的开关性能和较小的封装尺寸，2SK3680-01 也广泛应用于LED驱动电路、马达驱动电路以及各类小型化开关电源中。
Si2302DS, AO3400A, FDN340P, 2SK3896
