时间：2025/9/3 22:13:30
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IAUAN04S7N008是一款由英飞凌（Infineon）推出的碳化硅（SiC）功率模块，专为高效率、高频率和高温工作环境设计。该模块基于碳化硅MOSFET技术，具备更低的开关损耗和导通损耗，适用于电动汽车（EV）、可再生能源系统、工业电机驱动和高效能电源转换设备。IAUAN04S7N008采用双列直插式（Dual Inline）封装，确保紧凑的设计和高效的热管理，是替代传统硅基IGBT模块的理想选择。
类型：碳化硅（SiC）MOSFET模块
配置：半桥（Half-Bridge）
最大漏源电压（VDS）：1200V
最大漏极电流（ID）：400A
导通电阻（RDS(on)）：4mΩ
封装形式：双列直插式（Dual Inline）
热阻（Rth）：0.12 K/W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
IAUAN04S7N008模块基于先进的碳化硅半导体技术，具有优异的电气性能和热稳定性。其核心优势在于显著降低的开关损耗和导通损耗，使其适用于高频率开关应用，从而提高整体系统效率并减少散热需求。该模块的耐高温能力使其能够在严苛环境下稳定运行，并降低了对复杂冷却系统的需求。此外，IAUAN04S7N008的紧凑型封装设计有助于减少PCB空间占用，提高系统集成度。
该模块的双列直插式封装不仅提供了良好的机械稳定性，还优化了热传导路径，使得热量能够高效地从芯片传导至散热器。这种封装形式也简化了安装和维护流程，提高了系统的可靠性和使用寿命。此外，IAUAN04S7N008具有出色的短路耐受能力和过载保护特性，进一步增强了其在高要求应用场景中的稳定性与安全性。
IAUAN04S7N008广泛应用于电动汽车（EV）的主驱逆变器、车载充电系统（OBC）、光伏逆变器、储能系统（ESS）、工业电机驱动、不间断电源（UPS）以及高效开关电源（SMPS）等高性能电力电子系统中。
IAUCN04S7N008, IAUAN06S7N010
