时间：2025/6/29 14:06:18
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HV1E476M0605PZ 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，广泛应用于高功率、高频开关电路中。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动器、逆变器以及其他需要高效功率管理的应用场景。
这款功率 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，能够在高压环境下提供卓越的性能表现。
类型：N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：600V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：4.7A
脉冲漏极电流(Ip)：18A
导通电阻(Rds(on))：0.9Ω
栅极电荷(Qg)：13nC
输入电容(Ciss)：1150pF
输出电容(Coss)：27pF
反向传输电容(Crss)：3.8pF
开关时间：ton=45ns, toff=25ns
HV1E476M0605PZ 的主要特性包括：
1. 高击穿电压 (600V)，确保在高压应用中的可靠性和稳定性。
2. 极低的导通电阻 (0.9Ω)，可有效降低功率损耗，提升效率。
3. 快速开关能力，支持高频工作环境，减少能量损失。
4. 小尺寸封装设计，便于集成到紧凑型系统中。
5. 稳定的热性能，允许更高的功率密度和更长的使用寿命。
6. 内置保护功能，防止过流和静电损坏，提高系统的整体可靠性。
7. 符合 RoHS 标准，环保且易于维护。
这些特性使得 HV1E476M0605PZ 成为许多工业和消费电子领域中的理想选择。
HV1E476M0605PZ 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动器：适用于各种无刷直流电机（BLDC）控制。
3. 太阳能逆变器：用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。
4. 工业自动化设备：例如伺服控制器、机器人驱动等。
5. 汽车电子：如车载充电器、LED 照明驱动器等。
6. UPS 不间断电源系统：
其高效率和高耐压能力使其成为上述应用的理想选择。
HV1E476M0605PT, IRF840, STP45NF06
