时间：2025/9/14 6:12:16
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PMPB07R0UNX 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的StripFET?技术制造。该器件设计用于高效率、高功率密度的开关应用，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，适用于电源转换、DC-DC变换器、电池管理系统和电机驱动等应用场景。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：160A
最大漏源电压（VDS）：30V
导通电阻（Rds(on)）：7mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：120nC
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
PMPB07R0UNX 具有极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低导通损耗，提高系统效率。
其先进的StripFET?技术提升了电流密度和热稳定性，确保在高负载条件下的可靠运行。
该器件具备较高的雪崩能量承受能力，增强了在极端工作条件下的耐用性。
此外，PMPB07R0UNX 的封装设计优化了散热性能，适合高功率密度应用，并具备良好的热管理和抗热失效能力。
其栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，简化了驱动电路设计，提高了系统集成的灵活性。
PMPB07R0UNX 常用于DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电动工具、工业电机驱动、电源管理模块以及新能源汽车中的功率控制电路。
由于其优异的导通性能和热稳定性，该器件也广泛应用于高效率电源供应器和服务器电源系统中。
在汽车电子领域，PMPB07R0UNX 可用于车载充电器、启停系统、电动助力转向系统（EPS）等关键部件，提供可靠的功率开关性能。
IPB07R010N5,NDS351AN,IRF1324S-7PBF
