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HV1812Y332JXHARHV 发布时间 时间:2025/7/18 18:21:57 查看 阅读:12

HV1812是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于高电压和高电流的应用场景。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能,广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。
  这款MOSFET属于N沟道增强型器件,能够承受较高的漏源电压,同时具有较低的导通损耗,从而提高系统的效率和可靠性。其封装形式多样,适合不同的安装需求。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:12A
  导通电阻:0.18Ω
  栅极电荷:35nC
  总电容:120pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

HV1812Y332JXHARHV的主要特性包括:
  1. 高耐压能力,支持高达650V的工作电压,适用于多种高压应用场景。
  2. 低导通电阻设计,有效减少功率损耗,提高系统效率。
  3. 快速开关速度,降低开关损耗并提升动态性能。
  4. 出色的热稳定性,在极端温度条件下仍能保持良好的性能。
  5. 内置ESD保护功能,增强芯片的抗静电能力,提高可靠性。
  6. 支持表面贴装和通孔安装两种方式,便于灵活设计布局。

应用

HV1812可广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
  2. 工业设备中的电机驱动电路。
  3. 电动工具和家用电器的电源管理系统。
  4. 太阳能逆变器中的功率调节单元。
  5. 汽车电子中的负载开关和DC-DC转换器。
  6. LED照明驱动电路中作为高效开关元件使用。

替代型号

HV1812N65T3G
  HV1812P65K
  IRF840

HV1812Y332JXHARHV参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥4.58845卷带(TR)
  • 系列HV
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容3300 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定3000V(3kV)
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高电压
  • 等级-
  • 应用通用
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.106"(2.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-