时间：2025/8/2 6:56:43
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HUFA76413D3S是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率、高功率密度的应用设计，具备低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力及优异的热稳定性，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器、负载开关等场景。其封装形式为D3PAK（也称为TO-252），便于散热和安装。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：76A（在Tc=25°C时）
导通电阻（Rds(on)）：最大4.1mΩ（在Vgs=10V时）
功耗（Pd）：300W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装：D3PAK（TO-252）
HUFA76413D3S具备多项优异的电气和物理特性，确保其在复杂工况下的稳定性和可靠性。首先，其极低的导通电阻有助于减少功率损耗，提高能效。其次，该器件具有高耐压能力，可承受高达100V的漏源电压，适用于多种高压应用场景。此外，其最大连续漏极电流高达76A，在高功率负载下依然能够保持良好的性能。
该MOSFET采用先进的封装技术，D3PAK封装不仅体积小巧，还具有良好的散热性能，适用于高密度PCB布局。同时，其高功率耗散能力（300W）使其在高温环境下仍能稳定运行。
在热管理方面，HUFA76413D3S具备优异的热阻性能，确保在重载条件下不会因温度过高而损坏。其工作温度范围宽广（-55°C至175°C），适用于工业级和汽车级应用环境。
HUFA76413D3S广泛应用于多个领域，包括但不限于：
? 电源管理模块：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、同步整流电路等；
? 电机控制：用于电动汽车、工业自动化设备中的电机驱动系统；
? 负载开关：如电池管理系统（BMS）、热插拔电源控制等；
? 汽车电子：包括车载充电器、启停系统、车身控制模块等；
? 工业设备：如伺服驱动器、变频器、UPS不间断电源等。
FDP76413D3S, STD76413D3AG, IPU60R041C7
