类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：250V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：35A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大85mΩ（典型值为65mΩ）
　　功耗（PD）：160W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-55°C至+150°C

IXTH35N25A具有多项优异的电气和物理特性，使其适用于多种高功率应用。首先，其250V的漏源电压额定值使其能够承受较高的电压应力，适用于中高压电源系统。其次，该器件的导通电阻非常低，典型值仅为65mΩ，从而降低了导通损耗，提高了系统效率。
　　此外，IXTH35N25A具有较高的电流承载能力，能够在连续工作条件下承受高达35A的漏极电流，适用于需要高电流输出的应用，如电机驱动和电源模块。其TO-247封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和散热片连接。
　　该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和热稳定性，可在恶劣的工作条件下保持稳定运行。此外，其栅极驱动电压范围宽，通常可由标准的10V至15V驱动电路控制，便于与常见的MOSFET驱动器兼容。这些特性使得IXTH35N25A成为一款可靠且高效的功率开关器件，适用于多种工业和电力电子应用。

IXTH35N25A适用于多种高功率和高频开关应用。它常用于电源管理系统，如AC-DC和DC-DC转换器，以实现高效的能量转换。在电机控制和驱动电路中，该MOSFET可用于PWM（脉宽调制）控制，提供精确的速度和扭矩调节。此外，IXTH35N25A也广泛应用于逆变器、UPS（不间断电源）、电焊机和工业自动化设备等电力电子系统中。
　　由于其高耐压和低导通电阻特性，该器件特别适用于需要高效率和高可靠性的电源设计。例如，在太阳能逆变器和储能系统中，IXTH35N25A可以作为关键的开关元件，实现高效的能量转换。同时，其优异的热稳定性和抗雪崩能力也使其在高负载和频繁开关的环境中表现出色，确保系统的稳定运行。
　　在电动汽车和充电设备中，该MOSFET可用于电池管理系统和车载充电器，提供高效的电能管理方案。此外，在测试和测量设备、电源模块和工业控制系统中，IXTH35N25A也经常被用作关键的功率开关元件。

IXFH35N25A, IRFP4668, FDP35N25, FQA35N25