您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > FGH50N6S2D

FGH50N6S2D 发布时间 时间:2023/12/19 17:16:05 查看 阅读:122

产品种类: IGBT 晶体管

目录

概述

制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
封装 / 箱体: TO-247
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极击穿电压: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.9 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
集电极最大连续电流 Ic: 75 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 250 nA
功率耗散: 463 W
封装: Tube
配置: Single
Part # Aliases: FGH50N6S2DNL

FGH50N6S2D推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

FGH50N6S2D资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

FGH50N6S2D参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power ProcessingSMPS Power Switch
  • 标准包装150
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.7V @ 15V,30A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)75A
  • 功率 - 最大463W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247
  • 包装管件
  • 其它名称FGH50N6S2D_NLFGH50N6S2D_NL-ND