时间：2025/9/2 1:05:05
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H5MS2G62MFR-Q3M 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于移动式低功耗DRAM（LPDRAM）类别，主要用于高性能便携式设备和嵌入式系统。H5MS2G62MFR-Q3M 提供了高速数据存取能力，并通过低功耗设计延长设备的电池寿命。这款DRAM芯片采用了小型封装形式，适合对空间要求较高的应用场景。
容量：2Gb
类型：LPDRAM2
电压：1.8V
封装：FBGA
引脚数：162
时钟频率：209MHz
数据速率：833Mbps
工作温度：-40°C 至 +85°C
H5MS2G62MFR-Q3M 采用了LPDRAM2技术，具有出色的能效表现，适用于需要长时间运行的移动设备和嵌入式系统。该芯片支持多种低功耗模式，包括自动刷新和自刷新模式，能够在不使用时显著降低功耗。
此外，该DRAM芯片的工作电压为1.8V，相较于标准DRAM具有更低的功耗和更高的稳定性。其209MHz的时钟频率和833Mbps的数据速率确保了高效的数据传输性能，能够满足高性能应用的需求。
H5MS2G62MFR-Q3M 还具备宽温工作范围（-40°C 至 +85°C），适用于各种复杂环境条件下的应用。其FBGA封装形式不仅节省空间，还提高了热管理和机械稳定性，适合高密度PCB布局。
H5MS2G62MFR-Q3M 主要应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等移动设备，以及车载系统、工业控制设备和物联网设备等嵌入式系统。其低功耗和高性能特性使其成为需要高效内存解决方案的移动和嵌入式应用的理想选择。
在智能手机和平板电脑中，该芯片可用于提供快速的数据访问能力，支持流畅的多任务处理和多媒体播放。在可穿戴设备中，其低功耗特性有助于延长设备的电池续航时间。在车载系统中，H5MS2G62MFR-Q3M 能够提供稳定可靠的内存支持，确保车载应用的高效运行。
此外，该芯片还可用于工业自动化设备、智能监控设备和通信模块等应用场景，满足各种高性能和低功耗需求。
H5MS2G62EFR-Q3M
