RDD020N60 时间：2025/5/8 0:04:19 阅读：5

RDD020N60是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，广泛应用于各种开关电源、电机驱动以及负载切换等场景。其出色的电气性能和可靠性使得它成为许多设计中的理想选择。

参数

型号：RDD020N60
　　封装：TO-220
　　Vds（漏源极击穿电压）：600V
　　Rds(on)（导通电阻，典型值）：0.2Ω
　　Id（连续漏极电流）：14A
　　Bvdss（漏源极间额定击穿电压）：600V
　　输入电容：1350pF
　　总功耗：180W
　　工作温度范围：-55℃至+175℃

特性

RDD020N60的主要特性包括：
　　1. 高耐压能力，能够承受高达600V的漏源极击穿电压，适用于高压环境。
　　2. 具有较低的导通电阻（Rds(on)为0.2Ω），减少功率损耗，提高效率。
　　3. 快速开关特性，适合高频应用场合。
　　4. 较高的电流处理能力，支持最大14A的连续漏极电流。
　　5. 极宽的工作温度范围（-55℃至+175℃），确保在极端环境下仍能可靠运行。
　　6. TO-220封装形式提供良好的散热性能，便于安装和使用。
　　7. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。

应用

RDD020N60适用于以下应用场景：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
　　2. 电机驱动电路中的功率控制组件。
　　3. 负载切换和保护电路。
　　4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
　　5. LED照明系统的驱动电路。
　　6. 逆变器和不间断电源（UPS）系统中的关键功率转换元件。
　　7. 各种需要高电压、大电流处理能力的应用领域。