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HUFA75332S3S 发布时间 时间:2025/6/4 17:58:42 查看 阅读:5

HUFA75332S3S 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电源等领域。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。
  它主要适用于需要高效能功率转换的应用场景,例如 DC-DC 转换器、逆变器和电池管理系统等。其封装形式通常为 TO-220 或类似的功率封装,能够承受较高的电流和电压。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻:0.18Ω
  栅极电荷:45nC
  开关时间:ton=90ns,toff=75ns
  结温范围:-55℃至175℃

特性

HUFA75332S3S 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻,能够在高电流条件下减少功耗并提高效率。
  2. 高速开关性能,支持高频操作,适合现代高效电源设计。
  3. 优异的热稳定性,能够在较宽的温度范围内保持稳定的电气特性。
  4. 内置反向恢复二极管,优化了电路中的反向电流处理能力。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。

应用

该器件主要用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. 电机驱动控制器
  3. 电池保护与管理系统
  4. 逆变器和不间断电源(UPS)
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块
  6. LED 照明驱动电路
  HUFA75332S3S 的高效率和可靠性使其成为上述应用的理想选择。

替代型号

IRFZ44N
  STP16NF06
  FDP157N65A

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HUFA75332S3S参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列UltraFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C60A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C19 毫欧 @ 60A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs85nC @ 20V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1300pF @ 25V
  • 功率 - 最大145W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D²PAK
  • 包装管件