时间：2025/5/20 19:04:33
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HUF76429S3S 是一款高性能的 N 沃半导体场效应晶体管（N-MOSFET），专为高频开关应用和电源管理设计。该器件采用先进的制程工艺，具备低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能，适用于多种工业和消费类电子设备。
其封装形式通常为 LFPAK56D（Power-SO8），能够提供高效的散热性能，并且支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产。此外，该 MOSFET 具有良好的短路耐受能力和抗静电能力，确保在复杂电路环境下的可靠性。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压 VDS：60V
最大栅源电压 VGS：±20V
连续漏极电流 ID：140A
导通电阻 RDS(on)：1.3mΩ（在 VGS=10V 时）
栅极电荷 Qg：75nC
开关频率：高达 1MHz
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装：LFPAK56D
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），可有效降低功率损耗，提升系统效率。
2. 高额定电流能力（ID=140A），适合大功率应用。
3. 快速开关性能，能够满足高频应用需求，例如 DC-DC 转换器和电机驱动。
4. 出色的热稳定性，即使在高温环境下也能保持性能。
5. 小型化封装设计，节省 PCB 空间，同时支持高效的散热管理。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适用于全球市场。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关应用。
2. DC-DC 转换器，尤其是高效率、高频段转换器。
3. 电动工具、家用电器和工业设备中的电机驱动。
4. 电池管理系统（BMS）中的负载切换和保护电路。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关产品。
6. 汽车电子领域，如启停系统和电动车动力系统组件。
IRF7642TRPBF, FDP7642AN, BSC013N06NS3
