NM625AAA 时间：2025/8/11 2:53:02 阅读：7

NM625AAA 是一款由 NVE Corporation 生产的磁阻隔离器（Isolation Amplifier），采用先进的穿通磁阻（GMR, Giant MagnetoResistance）技术，具有高精度和高隔离电压的特性。该器件主要用于在高噪声环境下或需要电气隔离的应用中传输模拟信号，例如工业自动化、医疗设备、电力监测系统等。NM625AAA 采用 8 引脚 SOIC 封装，提供 2500VRMS 的隔离电压，并且具备出色的线性度和温度稳定性。

参数

类型：磁阻隔离放大器
　　隔离电压：2500VRMS（持续）
　　电源电压：4.5V 至 5.5V
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　带宽：100kHz
　　输入信号范围：0V 至 5V
　　输出信号范围：0V 至 5V
　　增益误差：±1%
　　非线性误差：±0.1%
　　共模抑制比（CMRR）：＞100dB
　　封装形式：8 引脚 SOIC

特性

NM625AAA 采用 GMR 技术实现信号的隔离传输，相较于传统的光耦或变压器隔离方案，其具有更高的线性度、更长的寿命以及更低的温度漂移。该器件的输入端和输出端之间通过磁场进行信号传输，避免了光耦的寿命限制和温度敏感问题。NM625AAA 的高隔离电压（2500VRMS）使其能够满足 IEC 60747-5-2 和 UL1577 等国际安全标准，适用于高电压或高噪声环境中的信号隔离应用。
　　NM625AAA 的典型应用包括隔离式传感器接口、工业控制系统、医疗设备中的信号隔离、电机控制和电源管理系统等。其低功耗设计和宽工作温度范围（-40°C 至 +125°C）也使其适用于恶劣工业环境。此外，该器件的高共模抑制能力使其能够在存在高共模噪声的环境中稳定工作，确保信号传输的准确性。
　　在设计方面，NM625AAA 的引脚兼容性良好，可以方便地替换传统隔离放大器。其 SOIC 封装便于 PCB 布局，并且支持表面贴装工艺，适用于自动化生产。