XP131A1715SR 时间：2025/6/19 7:20:57 阅读：3

XP131A1715SR是一款高性能、低功耗的MOSFET晶体管，主要应用于电源管理、信号切换和驱动电路中。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有卓越的开关特性和较低的导通电阻，适用于多种电子设备中的功率转换和控制功能。
　　XP131A1715SR属于N沟道增强型场效应晶体管，通过栅极电压控制漏极和源极之间的电流流动。其设计特别注重提高效率并降低能耗，非常适合用于便携式设备和其他对能效要求较高的应用场景。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：3.8A
　　导通电阻：0.045Ω
　　栅极电荷：9nC
　　总电容：850pF
　　工作温度范围：-55℃ to 150℃

特性

XP131A1715SR的主要特性包括以下几点：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效减少功率损耗。
　　2. 快速开关速度，支持高频操作。
　　3. 高电流承载能力，满足大功率应用需求。
　　4. 强大的抗静电能力（ESD保护），确保在恶劣环境下的可靠性。
　　5. 小型封装设计，节省PCB空间，适合高密度组装。
　　6. 工作温度范围宽广，适应各种极端条件。

应用

XP131A1715SR广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和DC-DC转换。
　　2. 电池管理系统的充放电控制。
　　3. 消费类电子产品中的负载开关和电机驱动。
　　4. 照明系统中的LED驱动器。
　　5. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传输。
　　6. 通信设备中的电源调节和信号切换。