时间：2024/4/29 16:51:10
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HCM3043-QFN48使用高性能 32 位微控制器(MCU)，内嵌三相半桥栅极驱动器和线性稳压器。MCU 集成 12 位 1M sps 高精度 SARADC 以及集成了比较器、运放、内置高性能 PWM 定时器、多路 UART、SPI、I2C 等丰富的通讯外设，内建 AES、TRNG 等信息安全模块，具有高整合度、高抗干扰、高可靠性的特点。MCU 内核采用 Cortex-M0+ 内核，配合成熟的 Keil & IAR 调试开发软件，支持 C 语言及汇编语言，汇编指令。
内建 LDO 线性稳压器提供 5V 电压，适合为 MCU 和外部组件供电。HCM3043-QFN48产品 LDO 输入电压为 5.5V ~ 15V/5.5V ~ 25V，Gate Driver 最大汲出/汲入电流为 1.0A，三相半桥栅极驱动器内置了死区时间和上下管直通保护，非常有效地阻止半桥电路损坏。为了防止因芯片工作在较低的电源电压而对功率管产生损害，芯片内部集成了欠压锁定电路来阻止该现象发生。
先进的高压 BCD 制程和内置共模噪声消除技术使得高边驱动器在高 dv/dt 噪声环境能稳定工作，并且使芯片具有宽范的负瞬态电压忍受能力。为了延长电池的使用时间，可以通过对 ENB 引脚的控制使芯片能进入到低消耗电流的待机模式。
栅极驱动器 (GATE DRIVER)：
– 内部集成 45V 三相半桥高边和低边驱动器
– 内置了死区时间
– 内置直通保护
– 高边和低边驱动器内置欠压锁定
– 兼容 3.3V, 5V,15V 三种逻辑电平
– ENB 引脚控制进入到待机模式
– 驱动器汲出/汲入电流：1A/1A
– 死区时间：0.5μs(typ.)
– 优秀 dv/dt 共模噪声消除电路
– 具有负瞬态电压忍受能力
– 低 di/dt 栅极驱动特性，更好的 EMI 性能
线性稳压器 (LDO)：
– 低功耗：2.5uA(Typ.)
– 最大输出电流：30mA(Sensor less)/60mA(Hall)
– 低漏电压：200mV@50mA (Vout=5V)
– 电 压输 入范 围： 5.5V~ 25V ( Sensor less )/
5.5V~15V(Hall)
– 输出电压范围：5.0V
– 高精度：±2%
– 输出电流限制：30mA(Sensor less)/60mA(Hall)
48MHz Cortex-M0+ 32 位 CPU 平台
| 商品分类 | MCU微控制器 | 品牌 | HDSC(华大) |
| 封装 | QFN-48 | 包装 | 托盘 |
HCM3043-QFN48原理图
HCM3043-QFN48引脚图
HCM3043-QFN48封装
HCM3043-QFN48丝印
