您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > HUF76409D3

HUF76409D3 发布时间 时间:2025/7/11 22:18:36 查看 阅读:10

HUF76409D3是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于各种电子电路中,特别是在开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能,能够满足现代电子产品对效率和可靠性的要求。
  这款MOSFET的设计目标是提供高效的功率转换能力,同时保持紧凑的封装形式,适用于空间受限的应用场景。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:49A
  导通电阻(典型值):4.5mΩ
  栅极电荷:37nC
  总电容(输入电容):1050pF
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

HUF76409D3具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 快速的开关速度,可支持高频操作,降低开关损耗。
  3. 高电流承载能力,确保在大电流应用中的稳定性和可靠性。
  4. 宽泛的工作温度范围,使其适合各种环境条件下的使用。
  5. 紧凑的封装设计,节省PCB布局空间。
  6. 优异的热性能,能有效管理散热问题,延长器件寿命。
  这些特性使HUF76409D3成为需要高效功率转换和高可靠性的应用的理想选择。

应用

HUF76409D3广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器,用于汽车电子、工业设备和消费类电子产品。
  3. 电机驱动电路,包括无刷直流电机(BLDC)和其他类型的电机控制。
  4. 负载切换和保护电路,如电池管理系统(BMS)中的开关。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块。
  HUF76409D3凭借其高性能和可靠性,在上述应用中表现出色,为设计师提供了灵活且高效的解决方案。

替代型号

HUF76409D3L, IRF7640, FDP7640

HUF76409D3推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

HUF76409D3资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

HUF76409D3参数

  • 制造商Fairchild Semiconductor
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压60 V
  • 闸/源击穿电压+/- 16 V
  • 漏极连续电流18 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.063 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-251
  • 下降时间37 ns, 50 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散49 W
  • 上升时间89 ns, 34 ns
  • 典型关闭延迟时间22 ns, 41 ns