STF11N80 时间：2025/7/23 14:03:47 阅读：3

STF11N80是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由意法半导体（STMicroelectronics）制造。该器件设计用于高电压和高电流应用，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于电源管理和功率转换电路。STF11N80采用TO-220封装，适合需要高效能和高可靠性的应用场合。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：11A
　　漏源极电压（VDS）：800V
　　栅源极电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.55Ω（典型值）
　　功耗（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220

特性

STF11N80具有多项优良特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其高耐压能力（800V VDS）允许其在高电压环境下稳定工作，特别适合用于AC/DC电源转换器和高电压电机控制应用。其次，该MOSFET的导通电阻较低（典型值为0.55Ω），可以有效减少导通损耗，提高系统效率。此外，STF11N80具备良好的热稳定性和高功率耗散能力（125W），可在高温环境下保持稳定运行。其TO-220封装形式也便于散热设计和安装，增强了系统的可靠性和耐用性。
　　STF11N80还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高整体能效。此外，其±30V的栅源电压容限确保在驱动过程中不易损坏，提高了使用的安全性。由于其优异的电气性能和结构设计，STF11N80广泛应用于电源供应器、电机驱动、照明系统以及工业自动化设备中。