时间：2025/8/24 12:16:02
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HUF76309P3是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）制造的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高效率的电源管理系统。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供低导通电阻和高电流能力，适用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理单元和电池供电设备等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：110A（在TC=25℃）
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为2.7mΩ（在VGS=10V时）
功耗（PD）：250W
封装类型：D2PAK（TO-263）
HUF76309P3具有多项显著特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著减少了导通损耗，提高了系统效率。此外，该MOSFET具备高电流处理能力，支持高达110A的连续漏极电流，适用于高功率密度的设计。其先进的沟槽式技术优化了导通和开关性能，同时减少了寄生电容，提高了高频应用的性能。
该器件采用D2PAK封装，提供了良好的热管理和机械稳定性，确保在高温环境下稳定运行。此外，HUF76309P3的栅极驱动电压范围较宽（支持标准逻辑电平），可与多种控制器和驱动器兼容，提高了设计灵活性。最后，该MOSFET具有较高的耐用性和可靠性，适合用于工业级和汽车级应用。
HUF76309P3广泛应用于各种高功率电子设备中，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动电路、电源管理模块、电池充电系统和汽车电子系统。其高效率和低导通电阻使其成为用于便携式设备和高效能计算设备的理想选择。
SiR340DP-T1-GE、IRF1324S-7PPBF、HUF75347P3
