类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：100A
　　最大漏源电压：30V
　　最大栅源电压：20V
　　导通电阻（Rds(on)）：1.8mΩ @ Vgs=10V
　　栅极电荷：180nC
　　封装类型：TO-247

HUF76113的主要特性之一是其极低的导通电阻，仅为1.8mΩ，这使得在高电流条件下，MOSFET的功率损耗显著降低，从而提高了整体系统的效率。此外，该器件的最大漏极电流为100A，能够在高负载条件下稳定工作，适合用于需要高电流输出的应用场景。
　　另一个重要特性是其出色的热性能。HUF76113采用了高效的散热封装设计，使其在高温环境下仍能保持良好的工作稳定性。这种热管理能力不仅延长了器件的使用寿命，还减少了系统设计中对额外散热器的需求，从而降低了整体成本。
　　该MOSFET的栅极电荷为180nC，这在高频开关应用中尤为重要。较低的栅极电荷意味着更快的开关速度，从而减少了开关损耗，提高了转换效率。这一特性使得HUF76113特别适合用于开关电源（SMPS）、电机控制和DC-DC转换器等高频应用。
　　HUF76113还具备良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。这一特性对于保护系统免受异常条件影响至关重要，确保了在突发故障情况下器件的安全运行。
　　最后，HUF76113的封装形式为TO-247，这种封装不仅提供了良好的散热性能，还便于在PCB（印刷电路板）上的安装和布局。其标准的封装尺寸也使得该器件可以轻松替代其他类似的MOSFET产品，提高了设计的灵活性。

HUF76113的应用领域非常广泛，主要集中在需要高效能功率管理的电子设备中。在电源管理系统中，HUF76113被广泛用于开关电源（SMPS），特别是在DC-DC转换器和AC-DC电源模块中。由于其低导通电阻和高电流承载能力，能够有效降低功率损耗并提高转换效率，因此非常适合用于高功率密度的电源设计。
　　在电机控制系统中，HUF76113被用于H桥驱动电路和电机驱动模块。其高电流能力和快速开关特性使其成为控制直流电机、无刷电机以及步进电机的理想选择。无论是在工业自动化设备、机器人控制还是电动汽车电机驱动系统中，HUF76113都能提供稳定的性能。
　　该MOSFET还常用于电池管理系统（BMS），尤其是在高容量锂电池组的充放电控制电路中。由于其优异的导通特性和热稳定性，可以在高电流充放电过程中保持较低的温升，从而提高电池系统的安全性和使用寿命。
　　在照明系统方面，HUF76113也被广泛应用于LED驱动电源和高频照明设备中。其低导通电阻和快速开关特性有助于提高照明系统的能效，减少发热，同时支持调光功能，满足现代照明系统对节能和智能化的需求。
　　此外，HUF76113还可用于太阳能逆变器、储能系统以及电动汽车充电设备等新能源领域。其高可靠性和良好的热管理能力使其在恶劣环境条件下依然能够稳定运行，为新能源技术的发展提供了可靠的支持。

SiHF100N03LT、IRF1405、STP100N3LL