时间：2025/8/5 18:48:34
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IXSH15N120AU1是一款由IXYS公司生产的高电压高电流MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高功率应用设计。该器件具有1200V的漏源电压额定值和15A的连续漏极电流能力，适用于需要高效能和高可靠性的功率转换系统。
漏源电压(Vds)：1200V
漏极电流(Id)：15A
导通电阻(Rds(on))：0.32Ω
栅极电荷(Qg)：45nC
最大工作温度：150°C
IXSH15N120AU1采用了先进的平面技术，提供卓越的导通和开关性能。该器件的高电压和大电流能力使其非常适合用于各种高功率应用，如电源转换器、逆变器和马达控制器。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，可在高温环境下稳定工作，确保系统的长期可靠性。
这款MOSFET的封装形式为TO-247，便于安装和散热管理。其设计还确保了较低的开关损耗，使得在高频开关应用中依然保持高效性能。由于其优异的动态性能，IXSH15N120AU1适用于需要快速开关的场合，例如在电力电子变换器和工业自动化设备中。
IXSH15N120AU1广泛应用于电力电子领域，如DC-AC逆变器、DC-DC转换器、UPS系统、电机驱动器和工业自动化控制系统。其高电压和大电流特性也使其成为太阳能逆变器和电动车充电系统的理想选择。
IXFH15N120, IRGP50B120AG, FGL40N120AND
