时间：2025/5/13 8:48:52
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HUF75345S3ST是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特性。该器件适用于各种功率转换和电机驱动应用。其封装形式为TO-263（D2PAK），能够提供出色的散热性能。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：12A
最大栅源电压：±20V
导通电阻（典型值）：1.8mΩ
总功耗：10W
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-263
HUF75345S3ST具备低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率。同时，它具有快速开关能力，适合高频应用。器件的高电流承载能力和宽工作温度范围使其非常适合恶劣环境下的应用。此外，其D2PAK封装提供了良好的热管理和电气性能。
该MOSFET广泛应用于直流-直流转换器、开关电源、电池管理系统、电机驱动器和负载开关等领域。在这些应用中，HUF75345S3ST的高效能和可靠性可以显著提升系统的整体表现。
IRF7742, AO3400A
