时间：2025/7/29 19:14:53
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BML041H是一款由ROHM（罗姆）公司推出的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和负载开关电路中。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，能够在低导通电阻和高开关性能之间取得良好的平衡，从而实现高效的功率转换。BML041H采用紧凑的封装形式（通常为SOP或TSSOP），适合用于空间受限的电路设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：4.1A（在VGS=10V条件下）
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约26mΩ（在VGS=10V条件下）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：SOP/TSSOP
功耗（PD）：2W
BML041H的主要特性包括低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性。其低RDS(on)值显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件具有快速开关能力，适合用于高频开关应用。BML041H的封装设计有助于良好的散热性能，能够在较高的工作温度下保持稳定运行。
该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和过载保护功能，适用于各种严苛的工作环境。其栅极驱动电压范围宽，支持常见的10V驱动电路，兼容多种控制方案。BML041H的设计还考虑了EMI（电磁干扰）控制，有助于降低高频开关带来的噪声干扰。
BML041H广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机控制、电源管理模块以及各种功率控制电路中。它也常用于工业自动化设备、消费类电子产品、汽车电子系统以及便携式电子设备中的电源开关和能量管理部分。
RJK0303DPA, Si4406DY
