HUF75343P 时间：2025/8/25 5:16:44 阅读：15

HUF75343P是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件适用于多种电源管理应用，具备低导通电阻和高电流承载能力，能够在高频开关条件下高效运行。HUF75343P采用先进的沟槽技术，以减少导通损耗并提高热性能，适用于需要高效、紧凑设计的电源系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：100A（在25°C时）
　　导通电阻(Rds(on))：最大值3.4mΩ（在Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：D2PAK

特性

HUF75343P功率MOSFET具有多项显著特性，首先，其低导通电阻Rds(on)可有效降低导通损耗，提高系统效率，适用于高功率密度设计。其次，该器件的最大漏极电流可达100A，具有出色的电流承载能力，能够应对高负载条件下的挑战。此外，HUF75343P的封装形式为D2PAK，这种封装具备良好的散热性能，有助于在高功率操作中保持较低的温度上升。该器件的栅极驱动电压范围较宽，通常可在4.5V至20V之间工作，使其适用于多种驱动电路设计。HUF75343P的高温稳定性良好，可在极端温度环境下可靠运行，其工作温度范围为-55°C至175°C，适用于汽车电子、工业控制等对可靠性要求较高的场景。该MOSFET采用先进的沟槽技术制造，优化了开关性能，降低了开关损耗，同时提升了器件的整体能效。此外，HUF75343P的栅极氧化层具有良好的耐用性，确保了长期使用的稳定性，减少了因栅极击穿而导致的故障风险。这些特性使得HUF75343P成为高性能电源转换系统中不可或缺的组件。
　　在实际应用中，HUF75343P能够显著提升系统的效率和可靠性，同时由于其低导通电阻和高电流能力，可以减少并联MOSFET的数量，从而降低整体成本和电路板空间占用。此外，该器件的快速开关特性也有助于减小外部滤波元件的尺寸，实现更紧凑的设计。