类型：稳压二极管（Zener Diode）
　　标称稳压值：3.9V
　　容差：±5%（标准）
　　最大耗散功率：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOD-123
　　最大反向漏电流（IR）：100nA（@ VR=1V）
　　测试电流（IZT）：20mA
　　动态电阻（Zzt）：75Ω（最大）

LBZT52C3V9T1G 稳压二极管具有高精度的稳压性能，其±5%的容差能够满足大多数精密电路的需求。
　　该器件在额定测试电流下表现出良好的动态阻抗特性，确保在负载变化时仍能维持稳定的输出电压。
　　其SOD-123封装形式不仅节省空间，而且便于自动化生产，适用于高密度电路板布局。
　　此外，LBZT52C3V9T1G具备良好的温度稳定性，在-55°C至+150°C的宽温度范围内保持稳定的电气性能，适用于各种工业和消费类电子应用。
　　器件的低反向漏电流特性（最大100nA）有助于降低待机功耗，提高系统能效。
　　由于其300mW的较高功率耗散能力，可以在相对较高的电流下工作而不影响稳定性。

LBZT52C3V9T1G 主要用于以下应用场景：
　　在电源管理电路中作为基准电压源，用于比较器或稳压器的设计。
　　用于模拟和数字电路中的电压钳位和保护电路，防止电压过冲损坏敏感元件。
　　在传感器接口电路中提供稳定的参考电压以确保测量精度。
　　适用于电池供电设备、便携式电子产品、LED驱动电路以及各类嵌入式系统的电压调节需求。
　　此外，该器件也常用于测试设备、工业控制系统和通信模块中的电压参考和稳压设计。

BZT52C3V9S-TP BZT52C3V9-7 BZT52C3V9-TP BZX84C3V9