时间：2025/8/24 18:41:28
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HUF75329是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的N沟道功率MOSFET，广泛用于高电流开关应用。该器件采用先进的Trench沟槽技术，提供优异的导通电阻和开关性能。HUF75329常用于DC-DC转换器、电源管理模块、电机控制、电池供电设备以及各种高功率开关应用中。其封装形式为D2PAK，便于散热和高功率密度设计。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：60A
导通电阻(Rds(on))：4.7mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装：D2PAK
HUF75329采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供极低的导通电阻（Rds(on)），从而降低导通损耗，提高系统效率。其高电流能力（60A）使其适用于高功率密度设计。此外，该器件具有良好的热稳定性和耐久性，可在高温环境下稳定工作。HUF75329的栅极驱动电压范围宽，支持常见的10V和12V驱动电压，适用于多种电源管理电路。
该MOSFET的D2PAK封装形式具有良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能保持较低的温度上升。此外，其内部结构优化设计降低了开关损耗，提高整体系统效率，适用于高频开关应用。HUF75329还具有高抗雪崩能力和良好的短路耐受性，增强器件在严苛环境中的可靠性。
HUF75329适用于多种高功率电子系统，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、服务器电源和电信设备电源模块等。其高电流和低导通电阻特性使其成为高效率电源转换和功率控制应用的理想选择。此外，HUF75329也常用于工业自动化设备、电动工具、电动汽车充电系统以及高性能计算机电源供应器中。
SiR340DP-T1-GE3
FDS6680
IRF1324S-7PP
