HUF75307DS3S 时间：2025/8/25 3:53:29 阅读：24

HUF75307DS3S 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的高性能N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电流、高效率功率转换应用而设计。该器件采用先进的沟槽技术，提供了极低的导通电阻和优异的开关性能，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及电池供电系统等领域。HUF75307DS3S采用DPAK（TO-252）封装，具有良好的热性能和可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大漏极电流（ID）：110A（在TC=25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大5.3mΩ @ VGS=10V
　　栅极电压（VGS）：最大20V
　　功耗（PD）：140W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装：DPAK（TO-252）

特性

HUF75307DS3S MOSFET的核心特性在于其极低的导通电阻（RDS(on)），可显著降低导通损耗，提高系统效率。其采用先进的沟槽式MOSFET技术，使得在高电流条件下仍能保持良好的热稳定性和低功耗表现。此外，该器件具有较高的电流承载能力和快速开关能力，适用于高频开关电源设计。其DPAK封装形式提供了良好的散热性能，适合在空间受限的电路中使用。
　　另一个重要特性是其坚固的栅极氧化层设计，使其能够承受较高的栅极电压冲击，增强了器件的可靠性与耐久性。HUF75307DS3S还具有出色的雪崩能量承受能力，能够在极端工作条件下提供额外的保护。该器件符合RoHS环保标准，适用于现代电子制造的绿色要求。

应用

HUF75307DS3S广泛应用于各种电源管理系统，包括同步整流器、DC-DC降压和升压转换器、负载开关、电机驱动器以及电池充电与管理系统。其高电流能力和低导通电阻也使其非常适合用于服务器、电信设备、工业控制、汽车电子（如电动助力转向系统EPS、车载充电器OBC）等高可靠性要求的场合。此外，该MOSFET也可用于电源适配器、UPS（不间断电源）、LED照明驱动器等消费类和工业类电子产品中。