时间：2025/8/18 5:16:45
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CXM3591XR-T2 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于高效能电源转换和功率控制应用。该器件采用了先进的沟道技术，以提供卓越的电气性能和热稳定性。CXM3591XR-T2 通常用于 DC-DC 转换器、电池充电器、负载开关以及工业控制设备中。其高耐压和大电流能力使其适用于高功率密度设计。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：30A
导通电阻（RDS(on)）：58mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-220AB
功率耗散（PD）：180W
CXM3591XR-T2 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。该器件的设计确保了在高温下依然保持稳定的性能，使其适用于高可靠性应用场景。此外，CXM3591XR-T2 具有快速开关能力，减少了开关损耗，从而进一步提升了高频操作下的性能。其封装形式为 TO-220AB，具有良好的散热性能，确保了在高功率环境下的可靠性。
该 MOSFET 还具备优异的抗雪崩击穿能力，能够承受瞬态过电压，从而提高系统的稳定性和寿命。此外，CXM3591XR-T2 的栅极驱动要求较低，可以与标准逻辑驱动器兼容，简化了电路设计并降低了外围元件成本。这种器件的热阻较低，有助于在高电流负载下保持温度控制，从而减少系统故障率。
最后，CXM3591XR-T2 的制造工艺符合 RoHS 标准，适用于环保型电子产品。
CXM3591XR-T2 主要用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统。其典型应用包括但不限于 DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统、负载开关、UPS（不间断电源）、工业自动化设备以及电信基础设施。此外，该器件还可用于电源适配器、充电器、逆变器以及高功率 LED 照明系统。在汽车电子系统中，如车载充电器和电动车辆的功率控制单元，CXM3591XR-T2 也表现出色。
IXTH30N100B, IXFN30N100P, STP30NF10, IRFZ44N
