时间：2025/9/6 15:57:36
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HU52G271MRXS7 是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，具有较高的存储密度和较快的数据存取速度。该芯片通常用于需要大容量内存和高性能数据处理的应用场景，例如工业控制、网络设备、嵌入式系统以及计算机外设等。该型号为TSOP（薄型小外形封装）封装形式，具有良好的稳定性和可靠性。
容量：256MB
类型：DRAM
组织结构：x16位
工作电压：2.3V - 3.6V
访问时间：5.4ns
封装类型：TSOP
引脚数：54
工作温度范围：-40°C至+85°C
HU52G271MRXS7 是一款高速DRAM存储器，其访问时间仅为5.4ns，适合需要快速数据存取的应用。该芯片采用CMOS工艺制造，具备低功耗和高抗干扰能力。其TSOP封装形式有助于减少空间占用并提高散热性能，适用于高密度电路设计。此外，该芯片支持自动刷新（Auto-refresh）和自刷新（Self-refresh）功能，有助于在不牺牲数据完整性的前提下降低功耗。其宽工作电压范围（2.3V至3.6V）使得该芯片能够适应多种电源设计环境，并具备较强的兼容性和灵活性。HU52G271MRXS7 还具备良好的温度耐受性，在-40°C至+85°C的温度范围内均可稳定工作，适用于工业级应用环境。
HU52G271MRXS7 常用于需要大容量内存和高性能数据处理的电子设备中，例如工业控制系统、网络路由器和交换机、通信设备、嵌入式系统、图形处理单元（GPU）扩展内存、视频监控设备以及高端消费类电子产品。由于其高速存取能力和良好的稳定性，该芯片也适用于对实时性要求较高的数据缓存和临时存储场景。
HY57V281620FTP-6A, K4S641632K-TC75
