您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > HTB75-TP/SP3

HTB75-TP/SP3 发布时间 时间:2025/5/7 13:22:58 查看 阅读:7

HTB75-TP/SP3是一种高性能的MOSFET功率晶体管,专为高效率开关应用而设计。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于各种电源管理、电机驱动和其他需要高效能转换的应用场景。
  这种晶体管主要应用于直流-直流转换器、逆变器、不间断电源(UPS)系统以及电动工具等设备中,能够有效降低能量损耗并提升整体性能。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:75A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:80nC
  总功耗:250W
  结温范围:-55℃至150℃

特性

HTB75-TP/SP3具备以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关速度,可以支持高频操作,适应现代电子设备对小型化和高效能的需求。
  3. 高电流承载能力,确保在大功率应用中稳定可靠地运行。
  4. 强大的热性能,允许较高的工作温度,增加了产品的耐用性和适应性。
  5. 优异的抗雪崩能力和鲁棒性,增强了在异常条件下的生存能力。

应用

HTB75-TP/SP3广泛应用于多个领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),如适配器和充电器。
  2. 直流-直流转换器,用于汽车电子和工业控制。
  3. 电机驱动电路,特别是在无刷直流电机控制中。
  4. UPS系统中的逆变器模块。
  5. 各类电动工具和家用电器的功率控制部分。

替代型号

IRFP260N, STP75N10F7

HTB75-TP/SP3推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价